Samsung mène la révolution de l’IA avec la première production de masse de QLC V-NAND de 9e génération

Le géant sud-coréen de la technologie Samsung Electronics a commencé la production en masse de sa NAND verticale (V-NAND) de 9e génération à cellule à quatre niveaux (QLC) d’un térabit.

Cette technologie de pointe devrait permettre d’améliorer considérablement la capacité de stockage et les performances, ouvrant ainsi la voie à de nouvelles avancées dans l’ère de l’intelligence artificielle.

Les innovations de Samsung

La technologie QLC V-NAND de 9e génération combine plusieurs technologies innovantes, notamment la gravure des trous de canaux, la conception de moules et le programme prédictif. Ces avancées se conjuguent pour atteindre un nombre de couches sans précédent, une densité accrue et des performances améliorées en matière de rétention des données.

Samsung a présenté sa flash V9 QLC, qui utilise la gravure par trou de canal pour atteindre le nombre de couches le plus élevé avec une conception à double pile. Ce dernier modèle est environ 86 % plus dense que la précédente V-NAND QLC, ce qui reflète les progrès réalisés avec la version TLC de la 9e génération.

La V9 QLC bénéficie également des technologies Designed Mold et Predictive Program, qui améliorent la rétention des données d’environ 20 % et augmentent les vitesses d’entrée/sortie des données de 60 %.

Alors que le marché des SSD d’entreprise affiche une croissance rapide avec une demande plus forte pour les applications d’IA, nous continuerons à consolider notre leadership sur le segment grâce à nos V-NAND de 9e génération QLC et TLC.

SungHoi Hur, vice-président exécutif, produit et technologie flash, Samsung Electronics.

La société prévoit d’étendre l’utilisation de sa technologie V-NAND QLC de 9e génération à un large éventail d’applications, en commençant par les produits de consommation de marque. Cette expansion inclura par la suite des solutions mobiles de stockage flash universel (UFS), des ordinateurs personnels et des disques SSD de serveur à haute capacité spécialement conçus pour les fournisseurs de services en nuage.

Leadership sur le marché des cartes NAND à haute capacité

Le dernier QLC 280 couches de Samsung se positionne comme la solution leader sur le marché, offrant une densité et des performances inégalées par rapport aux autres produits QLC. Avec une densité de stockage de 19,5 Gb/mm², elle dépasse de près de 50 % la densité du QLC à 232 couches de YMTC. En outre, il offre des performances environ 33 % plus rapides, avec un débit de 3,2 Gbps.

Ces avancées permettent à Samsung de proposer des disques SSD jusqu’à 50 % moins chers que les modèles haut de gamme actuels, y compris les disques SSD PCIe M.2 grand public, les disques SSD U.2 pour serveurs et les disques SSD grand format. Le V9 QLC devrait également offrir des performances comparables ou supérieures à celles des anciens disques SSD ou des disques SSD économiques utilisant la technologie TLC NAND flash.

Avec cette première production de masse de QLC 9th-gen V-NAND, Samsung consolide sa position de leader sur le marché de la flash NAND haute capacité et haute performance, répondant ainsi à la demande croissante d’applications d’IA et de solutions SSD avancées.